Name: Vishay Siliconix SI7495DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI7495DP-T1-GE3
Availability: InStock
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Vishay Siliconix SI7495DP-T1-GE3

Artikelnummer:

SI7495DP-T1-GE3

Hersteller / Marke:

Vishay / Siliconix

Teil der Beschreibung.:

MOSFET P-CH 12V 13A PPAK SO-8

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Spezifikationen
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Versandinformationen
Verpackung

~~Vishay Siliconix SI7495DP-T1-GE3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments SI7495DP-T1-GE3.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
VGS (th) (Max) @ Id	900mV @ 1mA
Vgs (Max)	±8V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	PowerPAK® SO-8
Serie	TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.5mOhm @ 21A, 4.5V
Verlustleistung (max)	1.8W (Ta)
Verpackung / Gehäuse	PowerPAK® SO-8
Paket	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Befestigungsart	Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	140 nC @ 5 V
Typ FET	P-Channel
FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	12 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	13A (Ta)
Grundproduktnummer	SI7495
SI7495DP-T1-GE3 Einzelheiten PDF [English]	SI7495DP-T1-GE3 PDF - EN.pdf

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Rückgaben werden nach 60 Tagen nicht akzeptiert.Zurückgegebene Elemente müssen in Originalverpackungen und einem realierbaren Zustand sein.Rückgaben aufgrund von Kundenfehlern zum Zeitpunkt des Angebots oder des Kaufs werden nicht akzeptiert.Wenden Sie sich vor dem Versand an den Kundendienst für die Rücksendung der Genehmigung.

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